Вход
Регистрация
Транзисторы
7MBR100U4B-120
Цена:
65 ₽
Цены в категории: 2 ₽ — 95 355 ₽
Москва — На сайте с 25 фев 2017
- Телефон: +7 (495) 366-54-94
- Адрес компании: 105118, Moscow, Budionny prospect 30A, office 303
- Пожаловаться
Описание
Наличными, Безналичный расчётПочтой, Транспортной компанией
Производитель: Fuji
1. Igbt Is A Functional Integration Of Power Mosfet And Bjt Devices In Monolithic Form 2. Igbt Combines The Best Attributes Of Both To Achieve Optimal Device Characteristics. Each Module Consists Of Two Igbt In A Half-Bridge Configuration With Each Transistor Having A Reverse-Connected Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode. 3. All Components And Interconnects Are Isolated From The Heat Sinking Base Plate,Offering Simplified System Assembly.
Отзывы
- 14 сен
- 177
-
Электроника и электротехника 18960
-
Электронные компоненты 18960
- Акустические компоненты 115
- Выпрямители 31
- Диодные мосты 851
- Диоды 2350
- Дроссели 661
- Другие электронные компоненты 10557
- Индукторы 34
- Комплектующие и материалы для электроники 87
- Конденсаторы 603
- Лампы электронные 98
- Микросхемы 261
- Модули передачи данных 77
- Оптоэлектроника 44
- Осцилляторы 58
- Охладители силовых приборов 14
- Печатные платы 46
- Программаторы микросхем 37
- Программируемые контроллеры 1139
- Резисторы 431
- Резонаторы 78
- СВЧ компоненты 17
- Тиристоры 1246
- Транзисторы 125
-
Электронные компоненты 18960
7MBR100U4B-120